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【精彩论文】4 500 V沟槽栅IGBT芯片的设计与研制
观点凝练
摘要：为提升IGBT单芯片的电流密度，掌握高压沟槽栅IGBT技术，进行4500 V沟槽栅IGBT芯片的研制。使用TCAD仿真软件，对4500 V沟槽栅IGBT的衬底材料、载流子储存层设计、沟槽宽度、沟槽深度、假栅结构等方面进行研究和仿真分析，明确各方面设计与芯片性能的关系。根据总体设计目标，确定相应的芯片结构和工艺参数，并对4500 V沟槽栅IGBT芯片进行流片验证。验证结果显示：4500 V沟槽栅IGBT芯片的测试结果符合设计预期，芯片的额定电流、导通压降、开通损耗和关断损耗等关键参数相比平面栅IGBT芯片有明显优化。
结论：（1）使用TCAD仿真软件对4500 V沟槽栅IGBT的衬底材料、载流子储存层设计、沟槽栅宽度、沟槽栅深度、假栅结构等方面进行了仿真设计和原理分析。
（2）根据总体设计目标，确定了相应的芯片结构和工艺参数，并对4500 V沟槽栅IGBT芯片进行了流片加工。
（3）对设计的4500 V沟槽栅IGBT芯片进行了特性测试。流片测试结果显示，本文设计的4500 V沟槽栅IGBT芯片符合设计要求，芯片的额定电流、导通压降、开通损耗和关断损耗等关键参数相比平面栅IGBT芯片有明显优势。
引文信息
李立, 王耀华, 高明超, 等. 4 500 V沟槽栅IGBT芯片的设计与研制[J]. 中国电力, 2020, 53(12): 30-36.LI Li, WANG Yaohua, GAO Mingchao, et al. Design and development of 4500 v trench gate igbt[J]. Electric Power, 2020, 53(12): 30-36.往期回顾
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编辑：杨彪
审核：许晓艳
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