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【精彩论文】IGCT-MMC中二极管反向恢复特性分析与测试
观点凝练
摘要:二极管的反向恢复特性在IGCT-MMC中起着重要的作用。首先介绍快恢复二极管的反向恢复特性,然后在IGCT-MMC拓扑中介绍快恢复二极管的开关行为,最后搭建适用于IGCT-MMC测试的双脉冲实验平台,并对比了3种商业化快恢复二极管产品的反向恢复特性。最终的测试结果表明,快恢复二极管的反向恢复峰值电流和功率与di/dt呈现线性关系,并且在高温下的测试结果要高于常温。而在相同的di/dt和温度条件下,不同的快恢复二极管在IGCT-MMC中反向恢复峰值电流和功率存在差异,在实际应用中需要根据二极管的安全工作区对di/dt进行合理设计。
结论:本文从快恢复二极管的失效机理出发,借助理想开关电路模型,在IGCT-MMC的应用工况下分析了快恢复二极管的反向恢复特性,然后搭建了适用于IGCT-MMC测试的双脉冲实验平台,对比了3种不同的商业用快恢复二极管器件的反向恢复特性,主要有以下结论。
(1)快恢复二极管的反向恢复峰值电流及峰值功率随di/dt的提升近似呈线性关系,同时在高温125 ℃下的结果要高于常温25 ℃的结果。
(2)在125 ℃测试温度下,Type C在1 kA/μs和5 kA/μs下的峰值电流和功率均最低,反向恢复损耗与Type B基本持平,Type A表现了较高的反向恢复损耗、峰值电流及功率。
(3)为保证二极管的反向恢复过程不超过安全工作区,实际应用中应限制IGCT-MMC的di/dt在4 kA/μs以下,这意味着设计模块时,回路总杂散电感不能低于0.7 μH。
引文信息
娄彦涛, 孙小平, 刘琦, 等. IGCT-MMC中二极管反向恢复特性分析与测试[J]. 中国电力, 2021, 54(1): 19-24.LOU Yantao, SUN Xiaoping, LIU Qi, et al. Analysis and test of reverse recovery performance of fast recovery diode in IGCT-MMC[J]. Electric Power, 2021, 54(1): 19-24.往期回顾
编辑:于静茹
校对:张重实
审核:方彤
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