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宁波大学张京教授/诸跃进教授团队CEJ:构建底界面异质结改善FaPbI3钙钛矿太阳能电池的的相稳定性及器件性能
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图1.自发底部离子交换方法的架构,a;截面中元素分布的 EDX 线性扫描,b;ITO衬底上处理过后的钙钛矿薄膜的ToF-SIMS深度分布,c; PbI3-、F- 和 InO- 分布的3D示意图,d;分别由0、50、100和150mM TMAPF6处理后的钙钛矿薄膜的XRD图谱,e;XRD图中的 (001) 衍射峰放大图,f;XRD图验证夹层的存在,相关衍射峰对应于PbI2(*),和(TMA)xFA1-xPb(PF6)xI3-x(#)g。
图2. SnO2和SnO2-TMAPF6中O1s的XPS光谱 (a) F1s的XPS光谱 (b); SnO2和钙钛矿之间的界面示意图,c;FAPbI3溶液和FAPbI3+TMAPF6混合溶液的1H NMR谱,d;TMAPF6溶液和FAPbI3+TMAPF6混合溶液的19F NMR谱, e; 纯 TMAPF6、对照和处理膜的 FTIR 光谱,f。
图3. XRD图关于PbI2衍射峰强度相对于钙钛矿(001)衍射峰强度在控制和处理膜中随时间的演变,a;暴露于>90% RH 的两种薄膜在600nm处的归一化吸光度随时间变化,b;DFT计算中氢键长度示意图:FAPbI3 (c)、FAPbI3-PF6 (d)和FAPbI3-TMAPF6 (e);分解能,f;缺陷空位形成能:VFA和VI,(g);VPF6和VTMA (h)。
图4.对照和处理膜的紫外-可见吸收和 PL 光谱,a;控制和处理器件在暗态下的 I-V 曲线,器件结构:FTO/SnO2/PVK/PCBM/Ag,b;CS-SKPM电位图(1.3 μm*1 μm),c;电位线扫描统计分布图,d;未加工能级示意图,e;处理后的能级示意图,f。
图5. J-V 曲线和详细参数表,a;控制装置和处理装置的IPCE光谱,b;器件在暗态偏压为 0.9 V时的Nyquist图,d;器件的TPV测试结果示意图,d;器件在 25ºC、~30% RH下的稳定性测试,e;器件在一个太阳模拟光下持续光照的的稳定性,f;器件在模拟光(1个太阳,25℃和N2)下的MPP跟踪,g。 论文信息Zequn Zhang, Zhi Fang, Tonghui Guo, Rui Zhao, Zhiqiang Deng, Jing Zhang, Minghui Shang, Xiaohui Liu, Jian Liu, Like Huang, Ziyang Hu, Yuejin Zhu, Liyuan Han. Robust heterojunction to strengthen the performances of FAPbI3 perovskite solar cells. Chemical Engineering Journal, 432,2022,134311,
原文链接
https://doi.org/10.1016/j.cej.2021.134311
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