氮矽科技：功率氮化镓应用现状与前景

11月26日，由充电头网主办的2021（秋季）USB PD＆Type-C亚洲展在深圳南山科兴科学园如期举行。作为2021年年度备受瞩目的消费类快充电源行业展会，现场汇聚近百家USB PD＆Type-C产业链企业，并有多达上千款的新品展出。同时，本次展会也吸引了众多专业观众莅临现场，成为快充产业相关人士面对面洽谈、技术交流、学习成长的平台。

在展会期间同步举办的研讨会上，20位行业大咖发表了演讲，分享了最新的行业趋势，并介绍了公司最新的产品布局。

成都氮矽科技有限公司销售总监伍陆军先生在本次演讲中分享了《功率氮化镓应用现状与前景》主题演讲，并借此机会介绍了氮矽科技在氮化镓功率器件领域的产品布局与技术优势。

下面由充电头网为大家带来氮矽科技PPT的详细解读。

据介绍，氮矽科技成立于2019年4月，是国内最早同时布局氮化镓晶体管与驱动IC的氮化镓设计公司之一，产品覆盖650V高压氮化镓晶体管以及氮化镓驱动IC。在2021年5月实现增强型氮化镓晶体管批量出货，目前总出货量超700k，年内有望突破1KK。融资方面，在2020年7月完成天使轮，并在2021年7月完成Pre-A轮融资。

下面开始介绍高压氮化镓市场的小试牛刀。

据介绍，目前高压氮化镓市场从技术层面来说主要可以分为两大流派，分别是以纳微、英诺赛科、GaN Systerms、氮矽科技等为代表的E-Mode GaN HEMT，另一部分则是以PI、Transphorm、镓未来等为代表的Cascode（D-Mode） GaN HEMT。

目前，氮矽科技在氮化镓功率器件方面已经推出了DX6508、DX6510、DX6515等多种规格的产品，同时也有TO220、TO252、DFN5x6、DFN8x8等类型的封装，可以满足客户各种应用需求，并且具有高性价比的特点。

伍陆军先生在演讲中重点介绍了一款功率器件DX6510D，该氮化镓功率器件发布于2020年12月份，是目前拥有全球最小封装尺寸的650V GaN HEMT，PDDFN4x4封装，采用Chip Face Down（芯片焊盘面向下），解决了氮化镓器件衬底散热慢的问题；同时用RDL（Re-distribution Line重布线）工艺替代传统WB工艺中使用的细长的焊线，大大减小产品的封装电阻及寄生参数。此外还采用了创新的双面散热设计，提高MOS管散热性能。

在快充应用方面，目前氮矽科技也推出了30W、33W、65W、100W、120W等多种Demo方案供客户选择。

以上是氮矽科技对于氮化镓市场现状的分析，下面进入市场前景部分的介绍。

据介绍，2021年国家科技部重点研发项目“面向大数据中心应用 的 GaN 基高效功率电子材料与器件”。氮化镓功率器件在数据中心应用的优势在于功率密度大以及系统效率高；不过从目前氮化镓市场来看，氮化镓功率器件还存在一些劣势，比如化合物外延缺陷、器件热处理难度大、传统TO、DFN封装器件寄生电感大、驱动芯片依赖进口等。

针对目前氮化镓功市场常见的一些痛点，氮矽科技也提前做了一些准备，布局了一些产品线。其中就包括了上面讲到的采用双面散热封装的DX6510D功率器件，实测氮矽科技PDDFN4x4封装的器件散热性能与传统DFN5x6器件相当。

在氮化镓驱动IC方面，氮矽科技于2020年量产推出了全国独家增强型 GaN HEMT 栅极驱动器DX1001，打破了此前国外产商的垄断。该驱动器拥有DFN3x3和SOT23-6两种不同的封装方式，最高工作频率为50MHz，可以满足未来基站、汽车雷达等高频领域的产品应用。

氮矽科技DX1001与国际一线品牌驱动芯片的性能对比。

氮矽科技推出了一款合封驱动器与增强型GaN器件的氮化镓功率芯片DXC6510S1G，该器件使用了PD-DFN5x6封装，采用了RDL、Face-Down等技术，并内置高速GaN驱动，有效保护了功率器件的栅极、减少了寄生电感并同时提高了GaN器件的开关速度。

在未来，氮矽科技还将推出650V增强型 GaN HEMT 半桥栅极驱动，面向未来的LED、数据中心等领域的大功率产品应用，目前产品正在研发中心，预计明年下半年发布。

在低压氮化镓市场，氮化镓在充电器SR端、汽车雷达、Class-D音频放大器、DC-DC电源转换、砖电源等五个市场领域目前都有不错的机会。目前氮矽科技也为进入这些领域即将推出一款增强型GaN HEMT双通道栅极驱动。

氮矽科技即将推出的增强型 GaN HEMT 双通道栅极驱动DX2001，主要应用于100V/200V等低压氮化镓产品中，此驱动主要拥有以下技术亮点：自主研发自举技术生成高侧偏置电压、内置电平转换器、断电Vgs钳位增强提高可靠性、打破国外垄断。

最后一款新品预告是单片集成式GaN HEMT。该产品将继续优化功率器件使其的传播延时更低、上升下降速度更快、系统可靠性更高；但目前还有成本高昂、衬底隔离难度大（漏电、寄生把控）、设计难度大、流片平台有限等问题需要继续努力克服。

以上就是伍陆军先生本次演讲的全部内容。

充电头网总结

在本次演讲中，伍陆军先生主要对氮化镓市场的产品现状进行了简要分析，同时也由此引出了氮矽科技目前明星产品，包括氮矽独有的全球极小PDDFN4X4封装的650V氮化镓功率器件，以及国内首颗针对高频应用的合封驱动650V氮化镓功率器件等。

同时，陆军先生在演讲中也介绍了目前氮矽科技的产品在客户端的应用情况，以及氮矽科技未来在功率氮化镓领域高压/低压部分的产品规划，并介绍未来这些产品适用的应用场景。

如需了解更多产品资讯，可以与氮矽科技取得联系。

联系方式

伍先生：15889544447

柯先生：14759386972

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