【学术视频】纪念黄昆先生诞辰一百周年暨半导体学科发展研讨会 | 中科院半导体所赵德刚研究员

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图 | 赵德刚

题   目：GAN基光电子材料与器件报告人：赵德刚单   位：中国科学院半导体研究所时   间：2019-09-03地   点：北京西郊宾馆

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报告摘要

氮化镓（GaN）基材料被称为第三代半导体，在光电子学领域有重要的应用。GaN基激光器和探测器在激光显示、激光照明、火灾监测等领域重要的应用价值，也是当今世界的研究热点，而高质量的GaN材料生长技术、优化的器件工艺和器件结构设计是基础和关键。在材料方面，我们深入研究了缓冲层原理，提出了独特的外延方法，生长出高质量的GaN材料，室温下电子迁移率超过1000 cm2/Vs，这是目前国际上公开报道的MOCVD外延最好结果；创造性提出了复合缓冲层结构，突破了无裂纹的AlN外延材料技术，其（002）、（102）面XRD半高宽均控制在200弧秒以内；发现了碳杂质对p-GaN材料的补偿效应，提出了少量掺氧的p型杂质激活方法，解决了p型掺杂问题。在器件方面，设计出能够监测紫外波长的新型器件，还创新性地提出了利用紫外探测器的响应光谱对p-GaN载流子浓度进行测量的新方法；利用重掺杂盖层实现了良好的欧姆接触特性，揭示了欧姆接触、空位缺陷和碳杂质对探测器的影响机理；研究了InGaN量子阱界面控制方法，分析了量子阱的电荧光光谱随注入电流变化的机制，并提出了相应的物理模型；提出了降低吸收损耗、抑制电子泄漏的多种激光器新结构，研究了激光器的器件物理。在综合研究材料和器件技术的基础上，研制出我国第一只GaN基紫外激光器、大功率蓝光激光器和高增益紫外APD探测器。

个人简介

赵德刚，博士，中科院半导体所研究员、博士生导师、光电子研究发展中心主任，2009年国家杰出青年科学基金获得者，2011年第十二届中国青年科技奖获得者，2016年国家重点研发计划首席科学家，2017年中国科学院特聘研究员，2018年国家中青年科技创新领军人才入选者，2019年享受国务院政府特殊津贴专家。1994年、1997年在电子科技大学分别获得学士和硕士学位，2000年在中科院半导体研究所获得博士学位。博士毕业后一直留所工作至今，主要从事GaN基材料生长与器件研究，对材料生长机理、材料物理、器件设计及器件物理有较深入的理解和认识，解决了GaN材料大失配异质外延技术等关键难题，研制出我国第一支GaN基紫外激光器、长寿命大功率蓝光激光器和紫外雪崩光电探测器，还在碳杂质研究做出了系统性、创新性工作。主持和承担了国家重点研发计划、863、国家自然科学基金等多个项目，在Applied Physics Letters等著名学术刊物上发表SCI论文280多篇，获得国家发明专利30多项，撰写中文、英文专著各一章。

会议简介

黄昆先生（1919-2005）是国际著名的物理学家，是中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。2019年是世界著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学奠基人之一黄昆先生诞辰100周年。黄昆先生曾在中国科学院半导体研究所和北京大学工作，并曾兼任中国物理学会理事长。为了纪念黄昆先生，中国科学院半导体研究所、北京大学、中国物理学会和九三学社联合举办“纪念黄昆先生诞辰100周年暨半导体学科发展研讨会”，纪念他对科学与教育事业的贡献，缅怀他的高尚品格和道德情操，学习他严谨求实的治学态度和实事求是的精神，并研讨当前半导体科技的新进展。

—— ——往期精彩回顾—— ——●【学术视频】纪念黄昆先生诞辰一百周年暨半导体学科发展研讨会 | 中科院半导体所赵建华研究员：磁性半导体的挑战与机遇●【学术视频】纪念黄昆先生诞辰一百周年暨半导体学科发展研讨会 | 北京大学王健教授：对数量子振荡的发现

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