半导体学报

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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-053)——首例基于拓扑保护的半导体手性光子源芯片

T-LED结构设计及其手性传递机理示意图,(b)T-LED圆偏振电致发光光谱,其极化率高达22.5%,(c)
1月6日 上午 9:00
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-054)——用于空间飞行器的柔性单晶硅太阳电池

Energy、Joule等杂志以第一作者兼通讯作者发表学术论文多篇。获上海市科技发明一等奖(4/14)、中国科学院上海分院科技创新“十大进展”(1/3)、中国可再生能源学会科学技术人物奖、PVSEC
1月6日 上午 9:00
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-049)——国际首个全模拟光电智能计算芯片ACCEL

2022集成电路设计比赛特别奖。通讯作者吴嘉敏,博士,清华大学自动化系副教授。研究方向为计算光学、生物医学成像、光电智能计算。以一作/通讯作者在Nature,Cell,Nature
1月3日 下午 1:00
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-044)——半导体黑磷的超快瞬时能带调控

phosphorus”为题发表在2023年Nature杂志,并入选ESI高被引论文和热点论文。Nature同期刊发News
2023年12月30日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-042)——应用于高速无线通信的硅基220 GHz滑动中频收发芯片组

Award”等。主要研究方向为微波毫米波集成新技术。发表/合作发表论文100余篇,授权发明专利23项。曾担任2021年全国微波毫米波会议、IEEE
2023年12月29日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-041)——在双层半导体量子阱中揭示激子分数量子霍尔态

(a)在InAs/GaSb量子阱电子和空穴浓度很不平衡区域存在体态能隙。(b)体态电导随载流子浓度和垂直磁场变化的输运性质。(c)在垂直磁场下手征激子边缘态依然存在,呈现出霍尔平台特征。(d,
2023年12月29日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-039)——国际首颗支持片上学习的忆阻器存算一体芯片

Electronics)等期刊发表SCI论文100余篇,在集成电路三大顶级国际会议(IEDM/VLSI/ISSCC)发表论文30余篇,2021年入选全球顶尖前10万科学家和IEEE
2023年12月28日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-038)——可重构相干纳米激光阵列

synchronizatiosn)为题在《自然》(Nature)杂志上发表。《自然》同期刊发了以“转角系统使纳米激光共同闪耀”(Twisted
2023年12月27日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-037)——接近衬底级晶体质量的氮化物宽禁带半导体异质外延薄膜

nm的4英寸DUV-LED外延片;(b)基于NPAT和NPSS的DUV-LED器件光输出功率对比;(c)基于NPAT和NPSS的DUV-LED器件电光转换效率对比。相关成果以“Group-III
2023年12月27日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-032)——高性能模数转换器

dB的SNDR,是目前相同指标下能效领先的ADC。另外,本工作还提出一种去耦电容切换技术,可以在不影响基准电压建立的前提下,提高基准电压对高频电源噪声的抑制能力。环形放大器是实现低功耗高速(100
2023年12月22日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-027)——新型感存算一体光电探测器

谱图,说明了在MoS2的界面处出现的S元素的缺失,即硫空位的出现。同时,在电场作用硫空位的迁移影响两端金属-MoS2接触的肖特基结的势垒,从而能够实现对器件的光短路电流的调制,在15
2023年12月8日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-020)——超高集成度光学卷积处理芯片

TOPS/mm2。(2)线性扩展性:调控单元数量随着矩阵规模线性增长,具有很强的大规模集成的潜力。成果以“Compact
2023年11月16日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-019)——可重构数字存算一体AI芯片

28nm工艺成功流片,首次在存算一体架构上支持高精度浮点与整数计算,满足云端AI推理和训练等各种任务需求。其显微照片和硬件指标如图3所示。ReDCIM可达到29.2
2023年10月20日
自由知乎 自由微博
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-016)——光化学键合实现半导体3D纳米打印

Channel、《光明日报》等刊物和媒体专题报道100余次,研究成果入选2022年中国光学十大进展、2022中国光学领域十大社会影响力事件,部分成果获得“Nature
2023年9月29日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-015)——一种CMOS兼容的低矫顽场三方相铁电Hf(Zr)1+xO2材料

富含Hf(Zr)原子的三方相Hf(Zr)1+xO2薄膜的原子尺度STEM分析。通过基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算,发现当Hf(Zr)1+xO2材料中Hf(Zr)与氧的比例大于1.079
2023年9月15日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-010)——先进节点碳基集成电路

μm2)相对应(图2)。在主流数字集成电路技术中,SRAM单元面积是衡量实际集成密度的重要参数。尽管大量的研究工作演示了碳纳米管或者低维半导体材料的6T
2023年8月15日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-009)——首例外延高κ栅介质集成型二维鳍式晶体管

——首例外延高κ栅介质集成型二维鳍式晶体管北京大学彭海琳教授团队实现了世界首例二维半导体鳍片/高κ栅氧化物异质结阵列的外延生长及其三维架构的异质集成,并研制了高性能二维鳍式场效应晶体管(2D
2023年6月16日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-008)——基于存算一体硬件的无线数据传输系统

——基于存算一体硬件的无线数据传输系统南京大学物理学院缪峰教授、梁世军副教授团队在基于存算一体硬件的无线数据传输系统方面取得重要进展,相关研究成果以“并行存内无线计算”(Parallel
2023年6月9日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-006)——超越硅极限的弹道二维晶体管

(超越2031年硅基极限0.6伏),即可将单通道器件电流从100纳安/微米标准关态打开到超过1毫安/微米开态。3)本征门延时缩减到0.32皮秒,
2023年4月21日
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专刊 | 半导体学报2023年第2期——新型半导体生化传感专刊

半导体生物传感器原理示意图。(a)半导体生物传感器工作流程图。传感部分主要分为光学传感和电化学传感。(b)光学生物传感器主要原理的示意图。(c)电化学生物传感器主要原理的示意图。图2.
2023年2月27日
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专题 | 半导体学报2023年第1期——转角范德瓦尔斯异质结专题

6CVD生长的40度转角双层WS2中栅压可调的谷-自旋空间积累人们在一些反演对称破缺的晶体(例如过渡金属硫属化合物,transition
2023年2月8日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2023-001)——接近量子极限的二维半导体接触

——接近量子极限的二维半导体接触南京大学王欣然教授、施毅教授领导的实验团队与东南大学王金兰教授领导的理论团队合作,在二维半导体器件接触电阻方面取得重要进展,相关研究以“Approaching
2023年2月2日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2022-055)——半导体材料激光退火过程中的超快非热熔化理论

短波长激光脉冲照射硅晶体实现超快非热熔化动力学,包括了两种模拟:一种考虑了热载流子冷却(红线),另一种没有载流子冷却(蓝线)。(A)
2023年1月3日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2022-054)——层状半导体中的混合维度激子态的实验发现

SiP2的晶体结构和能带结构。从晶格结构中能发现SiP2具有强面内各向异性,并存在独特的一维PB–PB链结构。能带结构和载流子分布表明SiP2中电子为准一维受限,空穴为准二维受限。(a)
2022年12月31日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2022-049)——III族氮化物宽禁带半导体的高效p型掺杂新途径研究

短周期超晶格中微带的形成(图1c),为空穴的纵向输运提供了通道,这也是国际上首次从实验上确认p-AlGaN超晶格微带物理途径的有效性。将该p型AlGaN超晶格结构应用到发光波长280
2022年12月28日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2022-045)——基于二维范德华异质结的可重构存算一体架构

V的供电电压下,电压增益高达197,逻辑低电平和逻辑高电平的噪声容限分别高达0.44和0.47,相比于现有报道的CMOS电路具有明显的性能优势(图2)。图2.
2022年12月13日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2022-034)——微腔光梳驱动的硅基光电子片上系统

systems)为题,于2022年5月18日在线发表于《自然》(Nature)杂志。光梳,又叫光学频率梳,因其用途广泛,一直以来都是国际光学界的重要研究热点。美国国家标准与技木研究院John
2022年11月10日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2022-032)——转角双层二维材料精准原子制造

Letters等高水平期刊上共发表文章28篇,其中一作文章6篇,包括Nature、Nature
2022年11月1日
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编辑推荐 | 利用200 mm晶圆工艺平台集成制备的高性能自旋轨道矩MRAM器件

nm磁性隧道结器件制备及测试,首次实验验证了一种基于STT-MTJ搭建的单周期“与或非”存算一体器件。作为MRAM项目研发主要技术骨干,设计并开发了一整套磁性隧道结器件制备工艺,可支持亚40
2022年9月29日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2022-023)——具有室温面内反常霍尔效应的异维超晶格结构

(f)x-z平面中的霍尔电阻率随角度的变化。为进一步理解该奇特结构表现出面内反常霍尔效应的内在机制,文章基于对称性分析定性地描述这种奇特的霍尔输运现象的原因。因VS2-VS超晶格属于C2/m
2022年9月28日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2022-022)——支持多粒度稀疏的AI训练芯片

CMOS工艺实现,在FP8的计算精度下,Trainer的峰值能效为276.55TFLOPS/W,是NVIDIA
2022年9月27日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2022-008)——超越单结器件的世界纪录效率全钙钛矿叠层太阳能电池

58)。该项研究工作为开发钙钛矿电池的缺陷钝化方法提供了一种新思路,以应用为导向解决了制约全钙钛矿叠层电池光伏性能的多个瓶颈性问题,将加速推进钙钛矿叠层电池的科学研究和产业化进程。图2.
2022年5月12日
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专题 | 半导体学报2021年第4期——半导体材料与器件的原位表征专题

半导体材料与器件的原位表征专题材料与器件的表征是理解结构-性能关系、从而提高器件性能的基础。半导体研究领域的快速进步推动了高空间分辨率的先进表征技术的发展,已具备了在原子或亚原子尺度揭示微观结构的能力。进一步结合原位表征技术,可以从高空间分辨率和高时间分辨率两个层面研究材料和器件在多种外场激励下的响应,前所未有地揭示微观结构及其演变的细节,从而更加深入地了解材料或器件的生长、反应、缺陷演变和降解等机制。为了反映原位表征技术的最新进展,《半导体学报》组织出版了一期“半导体材料与器件的原位表征”专题,邀请北京工业大学柯小行副教授、美国北卡罗来纳大学夏洛特分校张勇教授担任特约编辑。本期专题已于2022年第4期正式出版并可在线阅读,欢迎关注。本期专题汇集了6篇综述文章,及时总结了先进的材料与器件原位表征技术,内容涵盖了传统半导体器件、有机半导体器件、金属氧化物半导体、光催化材料和卤化物钙钛矿光伏材料等领域。我们真诚地希望通过本期专题及时回顾和展望新兴的材料与器件原位表征技术的发展、及其对揭示半导体材料和器件的结构-性能关系并提高器件性能所做出的贡献。我们也希望通过本期专题介绍的前沿表征技术助力实验室和工业界正在进行的研究,并激发出更多创新方法促进半导体领域的发展。我们衷心感谢所有作者对本期专题的杰出贡献,我们也非常感谢《半导体学报》的编辑和制作人员提供的帮助。专刊
2022年4月20日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2021-042)——动态电荷域高能效电容感知芯片

pJ·%RH2;与当前国际同类工作相比,功耗降低了2倍,综合性能指标FoM提升了6倍。图1.
2021年12月23日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2021-037)——高性能半导体魔角激光器

半导体魔角激光器的辐射光谱和阈值曲线。(a)归一化的辐射光谱随泵浦功率变化热力图;(b)出射强度和线宽随泵浦功率变化图。Nature
2021年12月13日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2021-033)——首次实现多模式量子中继

internet(新型量子中继支持可扩展量子网络的实现)”为标题头条报道该成果。量子网络领域的国际领军学者、荷兰代尔夫特理工大学的Ronald
2021年11月30日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2021-032)——柔性集成偏振敏感放大系统

2020中国高被引学者。先后获得基金委优秀青年科学基金(2016)、国家杰出青年科学基金(2021)等项目的资助。2021年1月起,担任Journal
2021年11月25日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2021-030)——系统、高性能、多级集成的氮化镓基互补型逻辑电路

栅介质工艺,对提高器件的可靠性和稳定性有很大的作用,得到了业内的广泛赞同并引领了使用高温工艺制造栅介质的潮流。近年来尤为关注商用p-GaN
2021年11月16日
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半导体学报2021年第10期——柔性能源器件专刊

柔性能源器件专刊柔性能源器件是新一代可穿戴电子产品的基石。柔性能源器件具有多种功能,如光电或电光能量转换、摩擦发电、储能等。这些功能可以通过太阳能电池、发光二极管(LED)、摩擦纳米发电机(TENG)、电池以及超级电容器等高效实现。柔性能源器件可以集成到柔性、可穿戴和便携平台中,在信息、能源、医疗、国防等领域具有广阔的应用前景。然而,与刚性能源器件相比,柔性能源器件面临着更多的挑战,需要在制造技术、材料创新、新颖的结构设计和深入的物理理解方面进行更多研究并取得更多突破。为了反映柔性能源器件领域的最新进展,《半导体学报》组织出版了一期“柔性能源器件”专刊,邀请香港科技大学范智勇教授、南京工业大学陈永华教授、南方科技大学林苑菁教授、香港中文大学訾云龙教授、韩国蔚山国立科学技术研究院Hyunhyub
2021年10月20日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2021-028)——室温和高湿度下稳定的α-FAPbI3钙钛矿及其高效稳定光伏器件

°C持续加热和持续光照下,分别保持其初始效率的80%和90%达500小时。图1.(a)和(b)PbI2高清TEM图像:{100}方向和
2021年10月15日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2021-025)——首次实现氮化物半导体二维电子气中自旋的电学注入

B等期刊发表学术论文100多篇。通讯作者沈波,北京大学教授、长江学者、杰青、基金委创新群体带头人、973计划项目首席科学家、863计划“第三代半导体”重点专项总体专家组组长、
2021年9月23日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2021-023)——Rashba物理的新“味”:自旋轨道耦合可逆调控的直接带隙半导体黑砷

会出现自旋-能谷耦合的Rashba能带量子化所特有的偶-奇转变(图2)。这种独特的空穴Rashba能谷的描述,需要自旋(sz)和能谷(τz)两个量子数,在k-空间形成两种‘味’(flavours
2021年9月14日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2021-021)——高效Z型光催化分解纯水体系构建新思路

Z型异质结具有优异的光催化分解纯水性能(图1e,f),可按照化学计量比分解纯水同时产生氢气和氧气,STH达到1.16%(图1g),处于国际同期研究的领先水平。图1.
2021年9月3日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2021-019)——Science:面向神经形态硬件的新型存算一体架构

2作者简介通讯作者叶镭,副教授,博士生导师。现工作于华中科技大学光学与电子信息学院/国家光电研究中心,主要从事二维半导体光电器件及其片上集成研究。曾获湖北省“楚天学者”人才计划,被聘为APL
2021年8月28日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2021-017)——南京大学缪峰团队提出迄今最高并行度的神经形态计算方案

——迄今最高并行度的神经形态计算方案《科学》杂志在今年4月份提出了125个最具挑战性的前沿科学问题,其中信息科学领域的首个问题便是:计算机处理速度是否有上限?(Is
2021年7月29日
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中国半导体十大研究进展候选推荐(2021-013)——纳米自组装半导体超晶格电子-声子强相互作用与自陷态辐射

1工作简介——纳米自组装半导体超晶格电子-声子强相互作用与自陷态辐射国家纳米科学中心刘新风课题组与唐智勇课题组在自陷态复辐射机制的研究中取得重要进展。研究成果以“胶体硒化镉纳米片中纵声学声子折叠模式诱导的自陷态辐射(Zone-Folded
2021年7月20日