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近一个世纪以来,半导体凭借其性能优势及产业带动作用,在推动现代科学、技术和社会进步方面一直发挥着极其重要的作用。令人惊讶的是,当前正进入其第三代时期的半导体领域甚至比以往任何时候都发展得更快。迄今为止,半导体行业主要由三代材料驱动。第一代以硅和锗为代表,始于20世纪50年代;第二代以砷化镓(GaAs)和磷化铟(InP)为代表,出现于20世纪80年代;第三代,主要是氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC),可以追溯到20世纪末。半导体行业作为资本、人力和技术最为密集的制造业,始终面临着这样一个严峻挑战:生产未动,水电先行。到目前为止,几乎所有经典的半导体生长技术,如分子束外延(MBE)、脉冲激光沉积(PLD)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)和原子层沉积(ALD)等,都严重依赖于高温处理和苛刻的真空条件(图1(a)和1(b)),基本上都受到大功率稳定性的影响。以芯片为例,其制造工艺层层叠代、环环相扣,从最初的晶片生产到生产线上的切割乃至最终的封装、检查和测试等,整个制程通常涵盖数十个复杂工序。在这些环节中发生的任何错误都将导致晶片报废以及随后引发的巨大损失。因此,对于半导体制造企业来说,其电力供应往往需要确保极高的电力质量和承受巨大的能耗成本。在很大程度上,半导体行业可以被视为一个耗电“大户”,所以节能降耗迫在眉睫。