半导体学报2020年第12期目次
ARTICLES
Dandan Ning, Yanan Chen, Xinkun Li, Dechun Liang, Shufang Ma, Peng Jin, Zhanguo Wang
J. Semicond. 2020, 41(12): 122101
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122101
The influence of total ionizing dose on the hot carrier injection of 22 nm bulk nFinFET
Baoshun Wang, Jiangwei Cui, Qi Guo, Qiwen Zheng, Ying Wei, Shanxue Xi
J. Semicond. 2020, 41(12): 122102
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122102
The etching process and mechanism analysis of Ta-Sb2Te3 film based on inductively coupled plasma
Yongkang Xu, Sannian Song, Wencheng Fang, Chengxing Li, Zhitang Song
J. Semicond. 2020, 41(12): 122103
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122103
Xiyue Dong, Dingqin Hu, Pengyu Chen, Xuexin Dai, Chao Hu, Zeyun Xiao, Shirong Lu
J. Semicond. 2020, 41(12): 122201
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122201
Self-powered circularly polarized light detector based on asymmetric chiral metamaterials
Zhihua Yin, Xuemeng Hu, Jianping Zeng, Yun Zeng, Wei Peng
J. Semicond. 2020, 41(12): 122301
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122301
A 16-bit 1 MSPS SAR ADC with foreground calibration and residual voltage shift strategy
Xian Zhang, Xiaodong Cao, Xuelian Zhang
J. Semicond. 2020, 41(12): 122401
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122401
Jinyong Wu, Donglin Huang, Yujie Ye, Jianyuan Wang, Wei Huang, Cheng Li, Songyan Chen, Shaoying Ke
J. Semicond. 2020, 41(12): 122402
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122402
Design of GGNMOS ESD protection device for radiation-hardened 0.18 μm CMOS process
Jianwei Wu, Zongguang Yu, Genshen Hong, Rubin Xie
J. Semicond. 2020, 41(12): 122403
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122403
Prediction and observation of defect-induced room-temperature ferromagnetism in halide perovskites
Zhiguo Sun, Bo Cai, Xi Chen, Wenxian Wei, Xiaoming Li, Dandan Yang, Cuifang Meng, Ye Wu, Haibo Zeng
J. Semicond. 2020, 41(12): 122501
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122501
An antiferromagnetic two-dimensional material: Chromium diiodides monolayer
Jingjing Zhang, Jin Yang, Liangzhong Lin, Jiaji Zhu
J. Semicond. 2020, 41(12): 122502
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122502
Effects of high temperature annealing and laser irradiation on activation rate of phosphorus
Shaojie Li, Peide Han
J. Semicond. 2020, 41(12): 122701
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122701
Performance of hydrogenated diamond field-effect transistors on single and polycrystalline diamond
Rui Zhou, Cui Yu, Chuangjie Zhou, Jianchao Guo, Zezhao He, Yanfeng Wang, Feng Qiu, Hongxing Wang, Shujun Cai, Zhihong Feng
J. Semicond. 2020, 41(12): 122801
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122801
Wen Gu, Zhibin Liu, Yanan Guo, Xiaodong Wang, Xiaolong Jia, Xingfang Liu, Yiping Zeng, Junxi Wang, Jinmin Li, Jianchang Yan
J. Semicond. 2020, 41(12): 122802
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122802
RF performance evaluation of p-type NiO-pocket based β-Ga2O3/black phosphorous heterostructure MOSFET
Narendra Yadava, Shivangi Mani, R. K. Chauhan
J. Semicond. 2020, 41(12): 122803
doi: 10.1088/1674-4926/41/12/122803
目录推荐
《半导体学报》简介：
《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物，1980年创刊，首任主编是王守武院士，黄昆先生撰写了创刊号首篇论文，2009年改为全英文刊Journal of Semiconductors（简称JOS），同年开始与IOPP英国物理学会出版社合作向全球发行。现任主编是中科院副院长、国科大校长李树深院士。
2016年，JOS被ESCI收录。
2019年，JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”。
2020年，JOS被EI收录。
“中国半导体十大研究进展”推荐与评选工作简介：
《半导体学报》在创刊四十年之际，启动实施 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作，记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。以我国科研院所、高校和企业等机构为第一署名单位，本年度公开发表的半导体领域研究成果均可参与评选。请推荐人或自荐人将研究成果的PDF文件发送至《半导体学报》电子邮箱：jos@semi.ac.cn，并附简要推荐理由。被推荐人须提供500字左右工作简介，阐述研究成果的学术价值和应用前景。年度十大研究进展将由评审专家委员会从候选推荐成果中投票产生，并于下一年度春节前公布。
JOSarXiv预发布平台简介：
半导体科技发展迅猛，科技论文产出数量逐年增加。JOSarXiv致力于为国内外半导体领域科研人员提供中英文科技论文免费发布和获取的平台，保障优秀科研成果首发权的认定，促进更大范围的学术交流。JOSarXiv由《半导体学报》主编李树深院士倡导建立，编辑部负责运行和管理，是国内外第一个专属半导体科技领域的论文预发布平台，提供预印本论文存缴、检索、发布和交流共享服务。
JOSarXiv于2020年1月1日正式上线（http://arxiv.jos.ac.cn/），通过《半导体学报》官网（http://www.jos.ac.cn/）亦可访问。敬请关注和投稿！
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