重磅发布!2022年度中国半导体十大研究进展
《半导体学报》于2020年首次启动“中国半导体十大研究进展”评选活动,旨在遴选、记录我国在半导体基础研究领域的年度标志性成果。三年来,该评选活动获得了广泛关注。
2022年,第三届“中国半导体十大研究进展”评选活动共有55项成果获得候选推荐资格。2023年1月,由248位半导体领域专家组成的评选委员会经过严格评审,评选出10项优秀成果荣膺2022年度“中国半导体十大研究进展”;10项成果荣获2022年度“中国半导体十大研究进展”提名奖。
热烈祝贺各位获奖者!衷心感谢专家评委及国内外专家学者的大力支持!路虽远,行则将至;事虽难,做则必成。我们将继续努力把《半导体学报》办成国际卓越的半导体领域旗帜性期刊!
祝愿中国半导体研究在新的一年里取得更多、更大的进展!祝愿大家新年愉快,皆得所愿!
获奖名单
01
拓扑腔面发射激光器
中科院物理研究所陆凌团队将原创的拓扑光腔应用于半导体激光芯片,研制出拓扑腔面发射激光器[topological-cavity surface-emitting laser (TCSEL)],得到了远超主流商用产品的单模功率和光束质量。TCSEL的发明有望解决拓扑物理应用的长期瓶颈,对于激光技术的整体进步,特别是当下人脸识别、自动驾驶、虚拟现实所需的三维感知和激光雷达等新兴技术有重要意义,详见TCSEL.com。
该成果发表于《自然光子学》杂志 (Nature Photonics, 2022, 16: 279-283)。
02
超高热导率半导体-砷化硼载流子迁移率精准测定
国家纳米科学中心刘新风研究员团队联合休斯顿大学包吉明团队和任志锋团队世界上首次精准测定了超高热导率半导体-立方砷化硼(c-BAs)单晶的载流子迁移率;立方砷化硼材料高的载流子迁移速率以及超高的热导率,表明该材料可广泛应用于光电器件、电子元件等领域,为其大规模应用指明了方向。
该成果发表于《科学》杂志 (Science, 2022, 377: 433-436)。
03
电注入激射铝镓氮(AlGaN)紫外激光器
中国科学院半导体研究所赵德刚、杨静研究团队实现了我国首支电注入激射波长小于360 nm的AlGaN紫外激光器。通过结构设计、界面控制及应力调控等方法解决紫外激光器发光效率低、高Al组分AlGaN的p掺杂困难、以及大失配外延等一系列紫外激光器的关键科学和技术问题,为国内紫外固化、光刻机等新型紫外光源的研制提供技术保障。该成果发表于《半导体学报》杂志 (Journal of Semiconductors, 2022, 43, 010501. doi: 10.1088/1674-4926/43/1/010501)。
04
首次制成栅极长度最小的晶体管
人类又向摩尔定律的极限发起挑战。这一次中国人扮演了探索者的角色。清华大学任天令教授团队首次制备出亚1纳米栅极长度晶体管,该晶体管具有良好的电学性能。利用石墨烯单原子层厚度作为栅极,通过石墨烯侧向电场调控垂直的MoS2沟道开关,从而实现等效物理栅长为0.34 nm。这项工作将有助于推动摩尔定律进一步发展到亚1纳米。该成果发表于《自然》杂志(Nature 2022, 603: 259–264)。
05
双层二维半导体大面积外延生长
南京大学王欣然、李涛涛与东南大学王金兰、马亮团队紧密合作,提出了衬底表面台阶高度精确调控二维半导体层数的思想和“齐头并进”的全新生长机制,突破逐层生长的热力学限制,首次实现了厘米级均匀的双层MoS2外延生长,刷新了二维半导体器件开态电流的纪录,并满足2028年国际器件与系统路线图的技术指标。
该成果发表于《自然》杂志(Nature, 2022, 605, 69-75)。
06
具备超高导电率的可溶液加工n型导电聚合物
华南理工大学黄飞教授团队提出了一种n型导电聚合物的合成新策略,利用醌类氧化剂可逆的氧化还原特性,将氧化聚合和还原掺杂结合,大幅提高了有机半导体的n型掺杂效率,实现其由半导体向导体的转变。合成的聚(苯并二呋喃二酮)(PBFDO)具有超过2000 S cm-1的导电率以及良好的空气稳定性,在有机电子器件中展现出广泛的应用前景。
该成果发表于《自然》杂志(Nature, 2022, 611: 271)。
07
基于钙钛矿量子线阵列的大面积平面和球形发光二极管
香港科技大学范智勇教授团队开发出了一套崭新的钙钛矿量子线阵列生长工艺,其在大面积的刚性、柔性、平面以及3D衬底上均具有超高均匀性。基于此,团队首次实现了钙钛矿LED器件的晶圆级制备,以及世界首个3D球形LED器件,完美解决了传统平面器件在空间亮度分布上的弊端。其有望成为下一代照明显示材料与器件的有利竞争者。
该成果发表于《自然光子学》杂志(Nature Photonics, 2022, 16, 284–290)。
08
基于二维范德华异质结的宽光谱感算一体器件
华中科技大学翟天佑教授、周兴副教授团队与南京大学缪峰教授团队合作创新性地提出了二维双极性范德华异质结,通过电场调控使其光响应正负连续可调,首次在硬件层面实现了宽光谱图像探测和卷积计算的同步进行,突破了传统宽光谱机器视觉系统中感算分离所产生的功耗与时间延迟瓶颈,推动了机器视觉等人工智能领域的发展进程。
该成果发表于《自然电子》杂志(Nature Electronics, 2022, 5: 248-254)。
09
基于三维阻变存储器的存算一体技术
中科院微电子研究所刘明院士、张锋研究员团队与北理工王兴华副教授团队在三维存算一体芯片领域取得突破,该团队在国际上首次设计实现了基于三维垂直结构阻变存储器的存算一体宏单元芯片,通过实验证明了三维阻变存储器可以实现存算一体技术并具有低功耗、高算力、高密度等方面的优势,在高性能边缘计算领域有着广阔的发展前景。
该成果发表于《自然电子》杂志(Nature Electronics, 2022, 5: 469-477)。
10
高线性度、超宽带5G毫米波相控阵收发前端芯片
东南大学赵涤燹,尤肖虎研究团队实现可同时覆盖3GPP n257, n258, n261频段的5G毫米波CMOS相控阵芯片;通过提出宽带线性化技术,有效改善芯片在高功率下的幅度和相位失真,同时抑制芯片在宽带信号下的电学记忆效应,解决了传输超宽带高阶调制信号的难题;芯片成果已成功应用于国产化毫米波分布式微基站以及紫金山实验室6G TKμ极致连接无线传输平台。该成果发表于《固态电路》期刊(IEEE Journal of Solid-State Circuits, 2022, 57: 2702-2718)。
(a) 5G毫米波四通道相控阵收发系统射频前端芯片系统架构;(b) 芯片显微照片。
提名奖名单
(点击成果名称即可查看详情;排名不分先后)
《半导体学报》简介:
《半导体学报》是中国科学院主管、中国电子学会和中国科学院半导体研究所主办的学术刊物,1980年创刊,首任主编是王守武院士,黄昆先生撰写了创刊号首篇论文,2009年改为全英文刊Journal of Semiconductors(简称JOS),同年开始与IOPP英国物理学会出版社合作向全球发行。现任主编是中科院副院长、国科大校长李树深院士。2019年,JOS入选“中国科技期刊卓越行动计划”。2020年,JOS被EI收录。
“半语-益言”系列讲座
借一言半语,聊“核芯”科技,“半语-益言”全三季直播讲座回放链接:
https://www.koushare.com/topicReview/byyy/68
“中国半导体十大研究进展”推荐与评选工作简介:
《半导体学报》于2020年初启动实施 “中国半导体年度十大研究进展”的推荐和评选工作,记录我国半导体科学与技术研究领域的标志性成果。以我国科研院所、高校和企业等机构为第一署名单位,本年度公开发表的半导体领域研究成果均可参与评选。请推荐人或自荐人将研究成果的PDF文件发送至《半导体学报》电子邮箱:jos@semi.ac.cn,并附简要推荐理由。被推荐人须提供500字左右工作简介,阐述研究成果的学术价值和应用前景。年度十大研究进展将由评审专家委员会从候选推荐成果中投票产生,并于下一年度春节前公布。
JOSarXiv预发布平台简介:
半导体科技发展迅猛,科技论文产出数量逐年增加。JOSarXiv致力于为国内外半导体领域科研人员提供中英文科技论文免费发布和获取的平台,保障优秀科研成果首发权的认定,促进更大范围的学术交流。JOSarXiv由《半导体学报》主编李树深院士倡导建立,编辑部负责运行和管理,是国内外第一个专属半导体科技领域的论文预发布平台,提供预印本论文存缴、检索、发布和交流共享服务。
JOSarXiv于2020年1月1日正式上线(http://arxiv.jos.ac.cn/),通过《半导体学报》官网(http://www.jos.ac.cn/)亦可访问。敬请关注和投稿!
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