【学术视频】纪念黄昆先生诞辰一百周年暨半导体学科发展研讨会 | 南昌大学江风益教授
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图 | 江风益
题 目：半导体黄光LED新材料 新器件 新设备报告人：江风益单 位：南昌大学时 间：2019-09-02地 点：北京西郊宾馆
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报告提纲
可见光LED发展简介
高光效黄光LED进展
纯LED照明技术进展
总结
个人简介
江风益， 1984年本科毕业于吉林大学物理系，1989年研究生毕业于中国科学院长春物理研究所（现光机物理所），长期在南昌大学从事半导体发光方向人才培养、科学研究和社会服务工作，获国家技术发明一等奖和全球半导体照明突出贡献奖等，被评为 “全国优秀共产党员”、“全国先进工作者”，当选中国共产党第十九次全国代表大会代表。江风益教授是国家硅基LED工程技术研究中心主任，在硅基氮化镓半导体发光方向取得了开拓性、系统性、创造性学术成就，带领团队在国际上率先研制成功高光效硅基氮化镓蓝光、绿光和黄光LED材料与芯片，并实现了产业化。2019年江风益教授当选中国科学院信息技术科学部院士。
会议简介
纪念黄昆先生诞辰100周年暨半导体学科发展研讨会
黄昆先生（1919-2005）是国际著名的物理学家，是中国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。2019年是世界著名物理学家、中国固体物理学和半导体物理学奠基人之一黄昆先生诞辰100周年。黄昆先生曾在中国科学院半导体研究所和北京大学工作，并曾兼任中国物理学会理事长。为了纪念黄昆先生，中国科学院半导体研究所、北京大学、中国物理学会和九三学社联合举办“纪念黄昆先生诞辰100周年暨半导体学科发展研讨会”，纪念他对科学与教育事业的贡献，缅怀他的高尚品格和道德情操，学习他严谨求实的治学态度和实事求是的精神，并研讨当前半导体科技的新进展。
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