封装专栏 | Cu-Ni-Au RDL Pad Bond Ability Improvement

01

主题选定

• Cu-Ni-Au RDL Pad Bond Ability Improvement

02

选定理由

一、产线作业困难

• 生产报警太高

• 产品良率不达标

一、工程能力精进

• 新wafer制程研究

• 焊线能力提升

03

目前现状

一、报警状况

二、Yield状况

结论：WB报警超过200ppm，生产作业困难

04

要因分析

鱼骨图分析：

Wafer pad 结构分析：

结论：金球与PAD的结合区域只有很薄的0.03um的金层。

05

评估与执行

方向一：增加植球参数能量（Fail）

结论：结合力始终小于水平分力造成球脱,IMC只有薄薄一层。

方向二：增加植球平台大小（Fail）

结论：球做大反而结合不易,结合力始终小于水平分力造成球脱。

方向三：降低植球及扯线速度（Fail）

结论：速度放慢也无法解决。

方向四：提高温度增加结合力（Fail）

结论：无法解决。

方向五：使用2段force搭配较小的力道（Successful）

结论：由于Force的降低，改善金球被force黏带起的力道,成功改善报警及报废,Force是很关键的因素。

    第一段fold/Smooth force =10 ~15 grams

第二段fold/Smooth force =10 ~15 grams

SSBforce =10 ~15 grams

06

效果确认

一、通过参数优化，报警结果如下：

结论：通过参数优化，改善效果明显,报警已低于100ppm。

二、良率确认：

结论：通过参数优化，良率目前已达gaol(99.8%)。

07

标准化

一、更新参数文件到SPEC；

二、更新FMEA文件。

08

持续改善

一、Study铜线和合金线。

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