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脂的最佳匹配，在绝大多数力学性能指标上都优于T700S级，综合水平赶超国际。目前，公司已成为我国高性能碳纤维技术研发和工程产业化稳定生产的领跑者，在我国率先实现ZT7系列碳纤维稳定批量生产并应用于航空航天高端领域，在高于T700级碳纤维批量供应方面处于领先地位。03南大光电：MO源从“受制于人”到“世界第一MO源即高纯金属有机源，是制备LED的核心原材料，是光电产业的基础原材料之一，其纯度、品质对最终的光电器件或高频器件的质量和性能起着决定性作用，目前90%以上的MO源都被用来生产LED外延片。此外，MO源逐渐进入新一代太阳能电池领域如非晶硅薄膜太阳能电池、砷化镓太阳能电池等，在相变存储器、半导体激光器、射频集成电路芯片等其他高科技领域也逐步开展应用。1968年，美国Rockwell公司采用MOCVD工艺首次在绝缘衬底上成功制备出了砷化镓(GaAs)单晶薄膜，20世纪70年代，美国和日本相继开始研制MO源，20世纪80年代，美国、日本、英国等先后开发出了60多种MO源，并实现了产业化。由于MO源在化合物半导体和航天领域具有重要战略意义，发达国家出于政治考虑并为了保持技术优势，对MO源产品的出口严厉限制。为了打破国外在MO源领域的垄断，保障我国半导体产业的顺利发展，我国自“七五”开始便将MO源的研制列入了863计划及国家重点科技攻关项目，并逐渐进入产业化。南大光电的主要产品是MO源，也是全球主要的MO源生产商，从技术研发到量产落地，经过十多年的艰苦发展，公司在MO源的合成制备、纯化技术、分析检测、封装容器等方面已全面达到国际先进水平，成功打破国外在这一重要光电子原材料领域的垄断地位。公司董事长孙祥祯教授先后主持国家863计划MO源项目、MO源国家重点科技攻关项目等研究工作，是国家863计划新材料M0源研究开发中心创始人，曾获国家科技部授予的“八六三计划先进个人”称号、国家科委授予的“八六三”计划先进工作者一等奖、并作为MO源项目第一完成人获得国家教委授予的科学技术进步二等奖。南大光电在MO源制备中形成了系统性的底层技术优势。以MO源的合成技术为例，卤化物法是国际上最为通用的方法，该方法由于副产物过多，合成效率不高，且其原料具有腐蚀性，生产过程对安全要求非常高。南大光电经过多年的研究开发，在掌握卤化物法的基础上，针对卤化物法所存在的弊端，逐步开发完善了具备更多优势的合金法生产技术，经过持续底层创新，开发出独特的合金法生产工艺，实现原料无腐蚀性且价格便宜，副产物较少，合成效率相对较高，原料和副产物安全，降低了生产过程中的危险系数。另外，南大光电在纯化、分析、封装等生产技术和工艺方面持续自主创新，并全面达到国际先进水平。在MO源产品之外，公司还通过持续对产业链上游具有协同效应的企业进行收购，积极拓宽产品条线，凭借自身研发积累和对底层技术的理解，在多个领域做到行业领先。2021年，公司MO源全球市占率接近30%，占据国内第一的市场份额。在电子特气领域，公司2013年获得国家“02专项”高纯特种电子气体研发与产业化项目，同年启动砷烷、磷烷等特种气体的研发工作，2019年收购飞源气体，切入含氟电子特气市场。在光刻胶领域，公司2017年获得国家“02专项”193nm光刻胶及配套材料的研发项目立项，2020年公司研发的ArF光刻胶产品成为国内通过产品验证的第一只国产AF光刻胶。此外，南大光电还创新性地开发出满足ALD反应的前驱体，作为MO源业务的延伸。04中环股份：单晶硅片龙头打破美日垄断单晶硅片是光伏新能源和半导体领域上游的基础组件材料，经历60余年的技术演进和产业进步，晶圆材料形成了以硅为主，新型半导体材料为补充的产业格局。根据SEMI2021年的统计数据，全球95%以上的半导体器件采用硅作为衬底材料。由于摩尔定律的限制，半导体行业晶圆尺寸不断加大是不可避免的主流产业方向，而生产工艺难度随硅片尺寸的增大而提高，当前大尺寸的G12硅片是生产难度最大、技术壁垒最高的硅片材料，对工艺和设备的要求提升到了更高的台阶。全球范围内仅少数半导体硅片龙头企业掌握12英寸硅片的生产技术。世界范围内，硅片行业集中度很高，且随硅片尺寸的增加（8英寸→12英寸)，行业的垄断性加强，目前已形成高度垄断的产业格局。长期以来，全球半导体硅片的市场由日本信越化学、胜高(SUMCO)、中国台湾环球晶圆、德国世创、韩国SK