这些年我们追过的 Qorvo GaN 新品

2017-01-04 Qorvo半导体 信息与电子前沿

本文转载自微信公众号： Qorvo半导体

Qorvo 是全球领先的 GaN RF 供应商，自 1999 年起，Qorvo 就一直在推动 GaN 研究和创新，提供经过检验的GaN电路可靠性和紧凑型、高效率产品。近几年 GaN 技术商用趋势越发明显，Qorvo 推出 GaN 新品的节奏也越来越快，下面就让我们一块儿来看看这些年我们追过的 Qorvo GaN 新品。

六款全新 50V 氮化镓 (GaN) 晶体管

QPD1009、QPD1010 等

Qorvo推出六款全新 50V 氮化镓 (GaN) 晶体管，该晶体管系列采用小尺寸和较高阻抗输入/输出引线，可通过更出色的系统级效率大幅节省操作和系统成本，帮助优化雷达、通信、航空电子、宽带放大器和测试仪表的电路板设计。

功率倍增器多芯片模块

RFCM3327、RFCM3328 和 QPB8808

Qorvo 最新的功率倍增器 MCM 放大器为有线宽带服务提供商提供轻松升级至 DOCSIS 3.1 的路径，具备最大设计灵活性和功能性，同时节省功耗并缩减电路板空间。 RFCM3327 和 RFCM3328 采用 Qorvo 市场领先的 GaN 和 SiC 工艺，具有出色的导热率。QPB8808 以其紧凑的外形而得到关注，相比竞争对手解决方案，它可节约高达 70% 的印刷电路板空间。

用于高级雷达系统的紧凑型 GaN 功率放大器

QPD1003 与 QPD1017

这两款器件相对传统 GaN 晶体管而言，都具备尺寸更小和实施简单的优势。它们可以通过一个匹配设计覆盖多个频段，从而减少用于数千瓦阵列时的电路占位面积和总体复杂性。此外，降低功耗还可降低系统的冷却需求，从而进一步减少系统操作。

氮化镓芯片晶体管

TGF2933 和 TGF2941 等

Qorvo 发布了一系列六款全新的氮化镓（GaN）芯片晶体管——TGF2933-36 和 TGF2941-42，新产品的高频性能更出色，噪声更低，这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。该系列的这六款全新 GaN 晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内独有的 Qorvo 0.15μm 碳化硅基氮化镓工艺——QGaN15。

Ka波段3W GaN功率放大器

TGA2636-SM

Qorvo 的 0.15μm 高频 GaN 工艺所能够传输的功率密度是上一代 GaAs pHEMT 解决方案的三倍。这项技术具有非凡的功率、设备增益以及可靠性，非常适合用于 Ka 波段卫星地面终端传输应用的饱和及线性高功率放大器。TGA2636-SM 支持饱和及线性应用，可以为传统饱和功率 VSAT地面终端应用传递 3W 的峰值输出功率。当它在高阶调制系统所需的“线性功率回退模式”下工作时，能够更有效地利用 Ka 波段频谱，从而提高传输给用户的数据速率。

塑料封装的 GaN 晶体管

TGF2977-SM、TGF2978-SM 和 TGF2979-SM

Qorvo 不断扩展低成本 QFN 塑料封装 GaN 的范围，现已包含适用于船舶和航空电子雷达的 X 波段晶体管 TGF2977-SM、TGF2978-SM 和 TGF2979-SM。由于 GaN 在大小、重量和功率效率方面具备的优势，雷达制造商可将磁控管更改为固态功率放大器（SSPA）和雷达阵列，从而生产出更小且更高效的雷达系统。Qorvo 业界领先的 GaN 技术与小型封装共同保证了高线性增益和功率效率。

GaN / GaAs 混合功率放大器系列

TGA2752-SM、TGA2753-SM 和 TGA2760-SM

Qorvo 推出 GaN / GaAs 混合功率放大器系列，用以扩展范围并满足点对点无线电链路市场数据吞吐速率爆炸式提高的需求。TGA2752-SM、TGA2753-SM 和 TGA2760-SM 系列兼有 GaN 和 GaAs 两种技术的优势，最高提供 16 W 的输出功率，足以满足点对点市场的各种新兴需求。