【干货资源】细化晶粒这个重要的考点你懂了吗?
晶核形成后,立即开始长大。晶体长大就是液相原子向固相转移(扩散)的过程,即通过液体中单个原子或若干个原子同时依附(吸附)到晶体的表面上,并按照晶面原子排列的要求与晶体表面原子结合起来。
不同的长大方式???结晶的必要条件???结晶组织的形貌???听小编慢慢分解。
粗糙界面
约有 50% 的结晶位置空着,液相原子可以直接进入这些位置,从而使整个固-液界面垂直地向液相中推进,即晶体沿界面的法线方向向液相中生长。这种长大方式叫做垂直长大vertical growth,或连续长大,这样的晶体生长速率很快。
光滑界面
方式一:每向液相中长大一层都是由一个二维晶核(一个原子厚度的晶体小片)先在界面上形成,接着这个二维晶核侧向生长,如此反复进行,直至结晶完成。由于形成二维晶核需要形核功,这种机制的晶体长大速率很慢。
方式二:液相原子可以直接添加到界面上由于晶体缺陷而形成的台阶上,从而使晶体不断长大。如螺型位错在界面露头就可以提供台阶。由于界面上台阶数量有限,这种机制下晶体生长速率也很小。
纯金属凝固时,晶体的生长形态取决于固-液界面的微观结构和界面前沿液相中的温度梯度dT/dx.
正温度梯度
界面处的结晶潜热只能通过固相传导出去,所以界面的推进速度受到固相传热速度的控制 , 由于界面处的液体具有最大的过冷度,当界面上偶尔发生晶体凸起,就会进入温度较高的液体中,晶体生长速度立即减慢甚至停止,晶体成平面型长大。
负温度梯度
界面处温度高是由于结晶潜热所致 , 在负的温度梯度下,界面前方的液体具有更大的过冷度,因此,当界面某处固相偶然伸入液相,便能够以更大的速率生长,伸入液相的晶体形成一个晶轴,称为一次晶轴,由于一次晶轴生长时也会放出结晶潜热,其侧面周围的液相中又产生负的温度梯度。这样,一次晶轴上又会产生二次晶轴,同理,二次晶轴上也会长出三次晶轴,由于这样生长的结果很像树枝,所以被称为树枝状生长 dendrite growth。
铸锭组织表层细晶区在浇注时,由于铸型模壁温度较低,有强烈地吸热和散热作用,使靠近模壁的一层液体产生很大的过冷度,加上模壁的表面可以作为非均匀形核的核心,因此,在此表层液体中立即产生大量的晶核,并同时向各个方向生长,而形成表面很细的等轴晶粒区。
柱状晶区在表层细晶区形成后,型壁被熔液加热至很高温度,使剩余液体的冷却变慢,并且由于细晶区结晶时释放潜热,故细晶区前沿液体的过冷度减小,使继续形核变得困难,只有己形成的晶体向液体中生长。但是,此时热量的散失垂直于型壁,故只有沿垂直于型壁的方向晶体才能得到优先生长,即已有的晶体沿着与散热相反的方向择优生长而形成柱状晶区。
中心等轴晶区柱状晶区形成时也释放大量潜热,使已结晶的固相层温度继续升高,散热速度进一步减慢,导致柱状晶体也停止长大。当中心部液体全部冷至实际结晶温度Tm以下时,在杂质作用下以非均匀形核方式形成许多尺寸较大的等轴晶粒。
铸锭组织控制
1有利于柱状晶区发展的因素:快的冷却速度、高的浇注温度、定向的散热等。
2有利于等轴晶区发展的因素:慢的冷却速度、低的浇注温度、均匀散热、变质处理以及一些物理方法(如机械或电磁的搅拌、超声波振动等)。
增大过冷度
晶粒越细小,晶粒数就应越多。显然,晶粒数与形核率成正比,而与晶体生长速率成反比。增大过冷度虽然也会提高晶体生长速率,但对提高形核率更为显著。也就是说,增大过冷度可以提高形核率与生长速率的比值,从而使晶粒数增大,晶粒细化。增大过冷度,实际上是提高金属凝固时的冷却速度,这可以通过采用吸热能力强、导热性能好的铸型(如金属型),以及降低熔液的浇注温度等措施来实现。这种方法对于小型铸件或薄壁铸件效果较好,但对于大型铸件就不合适了。
变质处理变质处理就是向金属液体中加入一些细小的形核剂(又称为孕育剂或变质剂),作为非均匀形核的基底,从而使晶核数大量增加,晶粒显著细化。 变质处理是目前工业生产中广泛使用的方法。例如,在铝或铝合金中加入少量的钛、锆;往钢中加入钛、锆、钒等元素就可以细化晶粒 向金属或合金液体中加入同种固体颗粒,一来可以增加大量直接作为结晶核心的固相,二来可以提高冷却速度、增大过冷度。因此是一种非常好的细化晶粒的方法,工业生产中已经采用 向铝硅合金中加入的钠盐虽然不起形核作用,却可以阻止硅晶体的长大,从而起到细化合金组织的作用。
震动、搅拌在浇注和结晶过程中进行机械振动或搅拌,也可以显著细化晶粒。 这是因为振动和搅拌能够向金属液体中输入额外能量、增大能量起伏,从而更加有效地提供形核所需要的形核功;另一方面,振动和搅拌可以使枝晶碎断,增大晶核数量方法有机械法、电磁法、超声波法等。
今天的细化晶粒相关知识点就整理到这里啦!你学会了吗~
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