【中微公司】研究：占3D NAND客户介质刻蚀份额为30%，至少可实现2/3的介质刻蚀工艺产业化

半导体设备与材料 2023-03-26

<因数据来源有限和不完整性，以下推算与实际情况可能存在一定偏差，仅供您参考>

根据中国国际招标网，中微半导体（688012）于1月2日中标长江存储9台介质刻蚀设备，公司自2017年以来累计中标38台介质刻蚀设备。

中微再次中标9台长江存储刻蚀设备。根据中国国际招标网，1月2日长江存储公布32台刻蚀设备的招投标候选人名单，其中，中微半导体中标2台通孔（via）刻蚀、7台非晶碳和氧化硅刻蚀，Lam Research中标20台硅基、金属、介质刻蚀设备，北京屹唐半导体中标2台Pad Dry Etch设备，TEL中标1台超深接触孔刻蚀设备。由此推算，中微拿到了长江存储本次介质刻蚀设备中标数量45%的份额。

中微在最新长江存储介质刻蚀设备招标中的份额为45%

中微在长江存储的介质刻蚀设备采购中的份额持续上升。根据中国国际招标网，2019年10月至今，中微半导体累计中标长江存储刻蚀设备12台，占长江存储介质设备采购量30%的份额，仅次于第一大供应商Lam Research 51%的份额；而2017年8月-2018年4月、2018年6月-2019年7月的两个时间段内，中微半导体分别中标5台、21台刻蚀设备，所占份额依次是9%、30%。2017年以来中微累计中标38台，占长江存储介质刻蚀设备所有采购量的23%。若按自然年份计算，2017-2020年中微半导体历年介质刻蚀的中标份额依次是11%、34%、19%、45%。

中微在长江存储介质刻蚀设备中的份额（2017-2020）

中微在长江存储介质刻蚀累计采购量的份额为23%

估计中微可覆盖3D NAND中2/3的介质刻蚀工艺。中微中标的介质刻蚀设备已覆盖顶层通孔、沟道通孔、接触孔、硬膜/掩模刻蚀等工艺，尚未覆盖ONO栅极介质刻蚀、侧墙刻蚀、台阶刻蚀等工艺。在长江存储公布的介质刻蚀设备采购中，沟道通孔占28%，掩模/硬膜刻蚀占21%，接触孔占比16%，边缘刻蚀占13%，台阶刻蚀占8%，侧墙刻蚀占5%，控制栅极介质刻蚀占4%、切口刻蚀、回刻、顶层通孔各占2%。根据中国国际招标网，目前中微中标的刻蚀设备订单所实现的工艺，占3D NAND介质刻蚀工艺的比例约为2/3，而中微半导体尚未实现设备订单的介质刻蚀工艺，占长江存储总采购量的1/3。

中微来自本土存储厂的刻蚀设备订单有望在2020-2021年爆发。根据DRAMeXchange，长江存储2020、2021年估计扩产3万片/月、5万片/月，对应的投资额120-150亿元、200-250亿元，按刻蚀设备在制程设备中约20%的比例推算，未来2年长江存储刻蚀设备采购额预计达到20亿元、40亿元，再依据目前中微可覆盖2/3介质刻蚀工艺，以及3D NAND中的介质刻蚀设备占刻蚀设备总采购量的70%推算，预测中微公司未来2年来自长江存储的刻蚀设备订单可达9-10亿元、18-20亿元，年均翻倍增长。而且，中微Primo nanova®可用于多种导体刻蚀工艺，包括硅基刻蚀工艺中的STI刻蚀、多晶硅栅极刻蚀，以及介质刻蚀工艺中的侧墙刻蚀、掩模刻蚀、回刻等，将显著提升公司在介质刻蚀和硅基刻蚀中的潜在份额。

中微ICP刻蚀设备Primo nanova®

投资建议：中微公司不仅在介质刻蚀领域内取得本土存储厂的第二大介质刻蚀设备供应商地位，且公司已入股量测设备供应商睿励（上海）科学仪器，持股国内CVD供应商沈阳拓荆，成为除光刻机、离子注入机、涂胶显影等之外的关键工艺设备平台，继续重点推荐关注中微公司（688012）。

风险提示：国内半导体下游客户扩产低于预期；关键部件进口受贸易战影响。

半导体设备系列研究报告，欢迎点击链接：

1、行业篇

《半导体设备行业的2020年：全球迎来采购大潮，国产品牌将全面突破》（2019-12-30）

《半导体设备行业：12月本土存储厂加快设备采购，膜厚量测、CMP等设备采购量大幅增加》（2019-12-29）

《半导体设备与材料：在大基金一期中的投资比例仅为4%？设备与材料正嗷嗷待哺》（2019-12-24）

《半导体设备：今年台积电已采购设备百亿美元增长46%，ASML超应用材料为TSMC最大设备供应商，中微、江丰电子进入台积电先进制程》（2019-12-13）

《半导体设备国产化专题八：工艺控制与量测设备被国际品牌垄断，但国产品牌正取得突破》

（2019-12-4）

《半导体设备国产化专题七：硅片生长及加工设备超80%依赖进口，但国产化率有上升趋势》（2019-11-24）