【景昱-神经科学专栏】| 脑深部电刺激的迟发性并发症
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今天为大家分享的是“景昱—神经科学专栏”第五十七期，由Tim带来的“脑深部电刺激的迟发性并发症”，内容精彩，欢迎阅读。
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【Ref: Fernández-Pajarín G, et al. Acta Neurochir (Wien). 2017 Jun 24. doi: 10.1007/s00701-017-3252-7. [Epub ahead of print]】
1990年以来，脑深部电刺激（DBS）在临床上治疗许多神经系统疾病的疗效越来越显著。DBS手术并发症大多与手术本身或电刺激相关，但部分患者出现由植入材料带来的并发症。近期，西班牙圣地亚哥大学附属医院神经科的Gustavo Fernández-Pajarín等研究DBS术后发生的与材料相关的迟发性并发症，结果发表在2017年6月的《Acta Neurochir (Wien)》在线。
该研究纳入自2000年1月至2016年12月间249例行DBS手术的患者资料，进行回顾性分析。249例患者涉及植入装置321个；主要研究内容是术后1月以上的有关并发症。
249例患者中，最常见的疾病为帕金森病229例；其次包括特发性震颤7例，特发性全身性肌张力障碍4例，肌阵挛性肌张力障碍3例和症状性震颤3例。在DBS术后24月中，最常见的迟发性并发症是感染，占12.5%；而脉冲发生器（IPG）电极植入处是感染好发部位。此外，导线引起的头皮损伤处也是感染的好发部位（9.3%）（图1），原因为导线损坏或使用过久造成头皮破损而外露，发生率明显高于既往报道。其它与DBS材料相关的并发症，包括twiddler征即IPG绕轴线旋转、IPG移位、电极损坏或接触电极移位导致的并发症，以及电极周围水肿和囊肿形成（图2-3）。在DBS植入后，MRI-T2成像可见电极周围高密度影，大多无临床症状，发生率为6.3%。电极周围脑实质内出现囊肿，可能是脑水肿发展而来。该组有囊肿形成的2例患者，拔除DBS装置后，没有感染的迹象，血液检查也正常。脑内囊肿液的生化分析符合正常脑脊液的特征。该2例患者均没有接受类固醇治疗，12个月后MRI扫描显示囊性病变逐步减少（图4）。
图1. 感染位置。左图为脉冲发生器植入部位，右图为导线外露处。
图2. twiddler征以及颈部导线断裂。
图3. 左侧MRI成像示电极周围水肿。上图.左右分别为FLAIR序列的轴位与冠状位。下图为3个月后的相同部位。
图4. MRI成像显示，左侧脑实质内囊肿以及右侧电极周围水肿。上图.左右分别为MRI-T1的轴位与冠状位。下图.相同部位的FLAIR图像。
最后作者指出，对DBS手术并发症的了解有助于采取治疗措施。移除部分DBS装置是处理感染的必要手段。与DBS材料相关的并发症如导线周围水肿、囊肿形成的预后较好，在DBS植入后可以存在很长一段时间，给予随访观察。
（Tim编译，复旦大学附属华山医院陈灵朝博士审校，《神外资讯》主编、复旦大学附属华山医院陈衔城教授终审）
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